肖特基二极管和齐纳二极管之间的区别

你可能不完全理解肖特基二极管和齐纳二极管之间的区别

肖特基二极管和齐纳二极管是电子元器件行业的两大巨头，在功率保护方面取得了不朽的成就。就表现而言，两者可能不相上下，但它们之间有什么区别？我想我不仅想知道，每个人都想知道他们的差异是什么，因为了解他们可以更好地利用他们，释放他们真正的力量。

1、 肖特基二极管定义：

肖特基势垒二极管（SBD）是肖特基势垒二级管的缩写。低功耗、高电流、超高速半导体器件。它的反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通电压降只有0.4V左右，而整流电流可以达到几千毫安。这些优异的特性是快速恢复二极管无法比拟的。大多数中小功率肖特基整流二极管都是封装的。

SBD的结构和特性使其适用于低电压和大电流输出场中的高频整流、极高频率（如X波段、C波段、S波段和Ku波段）的检测和混频，以及高速逻辑电路中的箝位。SBD也常用于集成电路中，SBD和TTL等集成电路早已成为TTL电路的主流，并广泛应用于高速计算机中。

2、 反向恢复时间：

在现代脉冲电路中，晶体管或二极管被广泛用作开关，或者使用主要由它们组成的逻辑集成电路。二极管作为开关应用，主要利用其导通（低电阻）和截止（高电阻）特性，这表明二极管对正向和反向电流的开关效应。二极管和一般开关的区别在于，“开”和“关”由施加电压的极性决定，在“开”状态下有一个小的电压降V f，在“关”状态下是一个小电流I 0。当电压从正向变为反向时，电流不会立即变为（-I 0），但在一段时间ts内，反向电流保持高电平，二极管不会关断。在ts之后，反向电流逐渐减小，在tf时间之后，二极管的电流变为（-I0）。ts称为存储时间，tf称为下降时间。TR=ts+tf被称为反向恢复时间，上述过程被称为逆向恢复过程。

这实际上是由电荷存储效应引起的，而反向恢复时间是耗尽存储电荷所需的时间。该过程防止二极管在快速连续脉冲下用作开关。如果反向脉冲的持续时间短于TR，则二极管可以在正向和反向两个方向上导通，并且不具有开关效应。因此，了解二极管的反向恢复时间对于正确选择管和合理设计电路至关重要。

3、 齐纳二极管定义：

齐纳二极管（也称为电压调节器二极管，其电路符号为：该二极管是一种半导体器件，在达到临界反向击穿电压之前具有高电阻。在该临界击穿点，反向电阻降至非常小的值，在该低电阻区域，电流增加，而电压保持恒定基于击穿电压，由于这种特性，电压调节器管主要用作电压调节器或电压参考部件。）伏安特性，稳压二极管可以串联连接以在更高的电压下使用，并且通过串联连接可以获得更稳定的电压。

齐纳二极管与锗二极管的不同之处在于，如果反向电压（有时被称为“偏置”）增加到特定值，偏置的微小变化将导致电流显著增加。引起这种效应的电压被称为“击穿”电压或“齐纳”电压。2DW7型管的击穿电压在5.8-6.5V之间，最大电流为30mA。