X-FAB对其180nm APD和SPAD器件进行了重大改进，以提高光子检测性能并增加其有效面积

中国北京，2月4日，全球公认的卓越光电解决方案制造商2021-X-FAB硅铸造厂（“ X-FAB”）今天宣布推出最新一代雪崩光电二极管（APD）和单光子。

雪崩二极管（SPAD）器件。

X-FAB的新型APD和SPAD使用其成熟的并通过汽车认证的180nm XH018高压工艺。

由于创新的架构改进，与公司的早期设备（最初于2019年中发布）相比，其性能得到了显着改善，因此可以在光线强度极具挑战性的场景中使用。

同时，保留了新设备与上一代设备的形式和连接兼容性，从而确保了简单而方便的升级途径，而无需进行额外的工程工作。

性能提高最快的领域之一是光子检测概率（PDP）。

405nm波长入射光的PDP值为42％，近红外（NIR）频率的改善甚至更高，最高可达150％； 850nm波长的PDP值为5％。

另外，脉冲后概率为0.9％，比第一代设备低70％。

暗计数率（DCR）仅为13次/秒/ µm²，当前支持的填充率（有效传感器表面积的百分比）几乎结束了一段时间。

达到了33％。

*由于击穿电压特性可能因器件而异，因此需要精确测量以确保APD / SPAD的良好性能。

因此，X-FAB具有内置的触发二极管，无需外部光源即可实现准确，实时的片上击穿电压检测。

新产品包含一个有源淬灭电路，该电路可以加快SPAD设备的恢复速度，并为进一步的光子检测做好准备。

由于尺寸的灵活性（就宽度和长度而言），新的SPAD带来了更出色的应用适应性。

SPAD和APD设备的完整设备模型可确保首次使用权；该模型还包括新的内置触发二极管行为。

“由于PDP的改进与极具竞争力的DCR水平相结合，我们引入市场的APD / SPAD解决方案具有令人印象深刻的信号完整性特性；这将使我们的客户能够直接访问许多应用程序。

例如医疗领域中的计算机断层扫描和荧光检测，以及工业和汽车系统中的ToF和激光雷达。

X-FAB光电技术业务线经理Detlef Sommer表示：“这些先进的光电组件是X-FAB设计套件的宝贵补充，它扩大了XH018流程中可用的可互操作资产的范围”。