金属栅极和沟槽之间有一层二氧化硅，导致高输入电阻（高达1015Ω）。
它也分为N通道管和P通道管，符号如图所示。
衬底（衬底）通常连接到源极S.MOSs根据它们的导电方式分为增强和耗尽模式。
所谓的增强型意味着当VGS = 0时，管处于关闭状态，并且在添加正确的VGS之后，大多数载流子被吸引到栅极，从而“增强”。
该区域的载流子形成导电通道。
。
耗尽模式意味着当VGS = 0时，形成通道。
当正确地应用VGS时，大多数载波可以流出信道，从而“耗尽”VGS。
载体和关闭管。
以N沟道为例，在P型硅衬底上形成两个高差源极扩散区N +和漏极扩散区N +，并分别引出源极S和漏极D.源极和衬底在内部连接，并且两者保持相同的电位。
图（a）的符号中的头部方向是从向外方向，表示N型通道是从P型材料（基板）引用的。
当电源的正极错过且源极连接到电源的负极且VGS = 0时，沟道电流（即漏极电流）ID = 0。
随着VGS逐渐上升，由于栅极正电压的吸引，当VGS大于管时，在两个扩散区之间感应出带负电的少数载流子，从漏极到源极形成N型沟道。
当导通电压VTN（通常约+ 2V）导通时，N沟道晶体管开始导通，形成漏极电流ID。
国内N沟道MOSFET的典型产品是3DO1,3DO2，3DO4（所有这些都是单门）和4DO1（双栅极）。
它们的引脚排列（底视图）如图所示。
MOS FET更“吱吱”。
这是因为它的输入电阻非常高，栅极 - 源极电容非常小，很容易被外部电磁场或静电充电，少量电荷会在极间电容上形成相对较高的电压（U = Q / C），管子损坏了。
因此，每个引脚在工厂扭绞在一起，或者安装在金属箔中，使得G极和S极是等电位的，以防止静电积聚。
当管子不使用时，所有引线都应短路。
在测量和采取适当的静电措施时应小心。
1.准备工作在测量之前，在接触MOSFET引脚之前将主体短路接地。
最好将电线连接到手腕上的地面，以保持人体和地球处于同一电位。
然后将销分开并取下电线。
2.判断电极将万用表置于R×100位置，首先确定电网。
如果一只脚和另一只脚的电阻是无限的，则证明这只脚是门G.交换计重量测量，SD之间的电阻值应为几百欧姆到几千欧姆，其中电阻值为较小的黑色表笔连接到D极，红色表笔连接到S极。
日本生产的3SK系列，S极连接到管子，很容易确定S极。
3.检查放大能力（跨导）。
让G极浮动，黑色表笔连接到D极，红色表笔连接到S极，然后用手指触摸G极。
针应该有很大的偏转。
双栅MOS场效应晶体管具有两个栅极G1，G2。
为了区分，可以用手分别触摸G1和G2极，并且用手将G2极偏转到左侧。
目前，一些MOSFET管在G-S极之间有一个保护二极管，平时不需要使每个引脚短路。