“核心”物联网的实力很强,Howe Group旗下的Weir Semiconductor的RF产品获得了“ IoT Technology Innovation Award”(物联网技术创新奖)。 - 金属膜电阻

“核心”物联网的实力很强,Howe Group旗下的Weir Semiconductor的RF产品获得了“ IoT Technology Innovation Award”(物联网技术创新奖)。

2020年12月4日,由电子技术和电子发烧友领域的专业媒体组织的第七届2020年中国物联网大会。

在深圳隆重举行。

会议的主题是“新型基础设施,智能物联网”。

邀请业界知名公司的高管,行业专家和上市公司的知名人士为主题,阐述了智慧城市当前的发展痛点,技术,市场趋势和最新解决方案。

在当晚的中国物联网创新奖颁奖典礼上,“电子发烧友”宣布了针对产品,技术和个人的第七届物联网创新奖的最终获奖者。

该奖项自2016年设立以来,旨在鼓励在物联网行业做出杰出贡献的公司和公司经理,并鼓励与IoT相关的公司每年带来更多的技术和产品创新,并为中国做出贡献和世界。

促进网络产业的繁荣发展。

其中,豪威尔集团的子公司威尔半导体的射频产品WS7932DE荣获了本次会议的IoT技术创新奖。

作为全球排名靠前的中国半导体设计公司,豪集团致力于创建一个新的“半导体+工业”领域。

近年来的生态系统,并在物联网,消费电子,可穿戴设备,汽车和医疗保健等许多新兴领域积累了丰富的制造经验。

并取得技术成就,具有行业中最前沿的技术和工艺。

屡获殊荣的产品WS7932DE是用于RF接收前端LTE接收链路的低噪声放大器。

它具有内置的高隔离度旁路开关,并且只需要一个匹配的电感器。

该产品适用于2300MHz-2690MHz频段,可广泛用于4G和5G终端设备的RF接收前端。

可以有效降低系统的噪声系数,提高相应接收路径的接收性能,提高整机的接收灵敏度。

WS7932DE是第三代LTE LNA产品。

凭借Howe Group的RF研发团队的丰富经验和技术积累,它通过COMS工艺实现了18dB的高增益。

在显着降低成本的同时,它缩短了库存周期并降低了供应链风险。

同时,WS7932DE采用业界通用的1.1mmX0.7mm小型封装,与主流型号兼容,调试和更换都很方便。

它不仅为产品设计节省了宝贵的内部空间,而且还加快了产品发布的速度,并有助于确保供应链的多元化。

且供应稳定。

相同系列的产品包括WS7930DE和WS7931DE,它们分别用于703MHz-960MHz和1710MHz-2200MHz。

自成立以来,作为中国物联网行业最专业,最具影响力的行业奖项,中国物联网会议与创新奖的选择一直受到物联网行业上游,中游和下游半导体制造商的关注和支持。

这次,豪集团的子公司WS7932DE可以一口气做到这一点。

荣获此物联网技术创新奖是豪集团对半导体行业研发领域的不断深化和贡献的业界坚定肯定。

随着近年来市场环境的变化,半导体工业的重要性变得越来越突出,并且人们逐渐意识到“中国芯片”已经成为人们关注的焦点。

在技​​术竞争中起着至关重要的作用。

如今,国内半导体产业不断创新,并在各个领域取得突破,实现本地化替代已成为国内半导体产业的主题。

同时,政策的大力支持以及人工智能和5G技术的发展不断推动了中国半导体产业的蓬勃发展。

将来,豪集团将进一步利用自身的技术和资源优势,在“中国智能制造”领域进一步推动半导体芯片行业的更多发展。

时代。